分子束磊晶儀於1968年研發成功，至今已成為薄膜製程技術當中重要的一項發展。此技術是以真空蒸鍍的方式進行磊晶，在超高真空的環境下(< 10^-9 torr)，蒸鍍所需成長的材料，使其氣體分子(分子束)平均自由路徑大於鍍源至基板之間距離。當分子束到達基板時，會與基板表面的原子結合而形成磊晶。

        磊晶成長的速率單位時間內到達基板表面的分子數目決定。本系統中，成長速率控制於0.2~0.3 Å/min，故對於薄膜厚度以及組成均能有相當好的控制。

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本實驗室之MBE有其下列幾項優點:

(a)提供臨場下的RHEED觀察。

(b)基板可控制在室溫到1200℃ 的範圍內。

(c)擁有良好的膜厚及組成控制。

(d)可形成高純度的磊晶膜。

(e)可得到原子尺度的平坦面。